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RS3N150PF
超高压N-沟道场效应晶体管


    • ID(A) =3,VDSS(V)=1500

    • RDS(ON)  Typ(Ω=5.5,MaxΩ=6.5

    • 新型的横向变掺杂技术,专有的功率MOS结构,高温特性优良

    • 超高电压,超小内阻,散热性能好,高温漏电小,高温电压跌落小


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