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RSU12N65F
高压N-沟道多层外延超结MOS

RSU12N65F是瑞森采用先进的超结工艺制造的N沟道多层外延超结场效应晶体管,通过优化芯片结构,使该产品具有极低的导通内阻和的栅极电荷,能较大地降低产品EMI和开关损耗。广泛应用于OBC充电机,化成电源,医疗电源,金牌PC电源,服务器电源,TV电源,充电桩,通讯电源,谐振方案,工控等。


主要特点
    • ID(A) =12,VDSS(V)=650

    • RDS(ON)  Typ(mΩ)=380,Max(mΩ)=420

    • 采用多层外延工艺制作,与Trench工艺相比,具有优异的抗EMI及抗浪涌能力

    • 超小内阻,超小封装,超低结电容,EMI余量大

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RSU12N65F PDF 1188 RSU12N65F
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