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RSU12N65F
高压N-沟道多层外延超结MOS

产品优势:采用多次外延工艺制作,与Trench工艺相比,具有优异的抗EMI及抗浪涌能力
产品特性:超小内阻,超小封装,超低结电容,EMI余量大
产品应用:LED驱动,PFC线路,开关电源,不断电供应系统UPS,新能源电力设备等


主要特点
    • ID(A)=12,VDSS(V)=650

    • RDS(on) Typ(mΩ)<380,RDS(on) Max(mΩ)<420

    • 低VF,高浪涌电流能量

    • 极小的反向恢复电流,大幅降低开关损耗

    • 更高频率运行,能让被动元器件做得更小


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RSU12N65F PDF 1188 RSU12N65F
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