RSM120160W 是瑞森采用先进的碳化硅MOS技术制造的N-沟道SiC MOSFET，该产品拥有较强的抗冲击能力，优良的温度特性和开关特性。能使应用效率得到提升，及节省空间、减轻重量及减少零件数量，并增强系统可靠性。广泛应用于车载充电器/PFC、辅助逆变器和不间断电源（UPS）等各种工业和汽车领域。
ID =17A，VDSS =1200V，VGS(V) =+18/-4
RDS(ON) <185mΩ
抗冲击能力强
良好的温度特性
良好的开关特性
| 标题 | 类型 | 大小 (KB) | 下载完整规格书 |
|---|---|---|---|
| RSM120160W | 1188 | RSM120160W |
国内热线：188 2581 2467
海外热线：186 8863 3325
技术支持：188 2581 0427
