产品中心
Product Center
RS18N50F是瑞森采用先进的平面MOS技术制造的N-沟道场效应晶体管，通过优化芯片结构，使该产品拥有较强的抗冲击能力，同时具有较低的导通内阻和的栅极电荷，能较大地降低产品EMI和开关损耗。广泛应用于开关电源，电源适配器、LED驱动等领域。
ID（A） =18，VDSS（V）=500
RDS(ON) Typ（Ω）=0.28，Max（Ω）=0.34
新型的横向变掺杂技术，专有的功率MOS结构，高温特性优良
超高电压，超小内阻，散热性能好，高温漏电小，高温电压跌落小
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