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RS3N150F是瑞森采用新型的横向变掺杂技术制造的N-沟道场效应晶体管,通过特殊的耐压环和晶胞设计,开发出耐压更高,导通内阻更低的超高压MOS管。广泛应用于AC/DC开关电源,智能电表,工业开关电源,电力系统等。
ID(A) =3,VDSS(V)=1500
RDS(ON) Typ(Ω)=5.5,Max(Ω)=6.5
新型的横向变掺杂技术,专有的功率MOS结构,高温特性优良
超高电压,超小内阻,散热性能好,高温漏电小,高温电压跌落小
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