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RS2N100D
超高压N-沟道场效应晶体管

RS2N100D是瑞森采用新型的横向变掺杂技术制造的N-沟道场效应晶体管,通过特殊的耐压环和晶胞设计,开发出耐压更高,导通内阻更低的超高压MOS管。广泛应用于AC/DC开关电源,智能电表,工业开关电源,电力系统等。


主要特点


    • ID(A) =2,VDSS(V)=1000

    • RDS(ON)  Typ(Ω=6,MaxΩ=7.2

    • 新型的横向变掺杂技术,专有的功率MOS结构,高温特性优良

    • 超高电压,超小内阻,散热性能好,高温漏电小,高温电压跌落小


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RS2N100D PDF 1188 RS2N100D
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