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RS65R380F
高压N-沟道多层外延超结MOS

RS65R380F 是瑞森采用先进的超结工艺制造的N沟道多层外延超结场效应晶体管,通过优化芯片结构,使该产品具有极低的导通内阻和的栅极电荷,能较大地降低产品EMI和开关损耗。广泛应用于开关电源,电源适配器、LED驱动等领域。


主要特点
    • VDS =650V,ID =11A

    • RDS(ON) <380mΩ @ VGS = 10V

    • 超结工艺

    • 极低的导通电阻

    • 100%的UIS测试


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RS65R380F PDF 1188 RS65R380F
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