400 887 5512
全部
新闻
产品
RS65R380D
高压N-沟道多层外延超结MOS
    • ID(A) =10.6,VDSS(V)=650

    • RDS(ON)  Typ(mΩ)=340,Max(mΩ)=380

    • 采用多层外延工艺制作,与Trench工艺相比,具有优异的抗EMI及抗浪涌能力

    • 超小内阻,超小封装,超低结电容,EMI余量大

用户验证码登录
发送验证码
验证码错误,请重新输入!
登录
服务热线

国内热线:188 2581 2467

海外热线:188 2589 8464

产品咨询
技术支持

技术支持:188 2581 0427

TOP
返回顶部