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RS65R190F
高压N-沟道多层外延超结MOS

RS65R190F是瑞森采用先进的超结工艺制造的N沟道多层外延超结场效应晶体管,通过优化芯片结构,使该产品具有极低的导通内阻和的栅极电荷,能较大地降低产品EMI和开关损耗。广泛应用于LED驱动,适配器,基站电源,电瓶车充电器,电瓶车换电柜,PC电源等。


主要特点
    • ID(A) =20,VDSS(V)=650

    • RDS(ON)  Typ(mΩ)=160,Max(mΩ)=190

    • 采用多层外延工艺制作,与Trench工艺相比,具有优异的抗EMI及抗浪涌能力

    • 超小内阻,超小封装,超低结电容,EMI余量大

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RS65R190F PDF 1188 RS65R190F
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